SK海力士一直采用内部产线生产基底芯片。减少积电SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）的对台生产交由英特尔代工，并未进行相关探讨。依赖由英由于HBM产品多采用长期供货合同（LTA）模式，海力在HBM4方案中，士考生产提升供应稳定性，虑将M裸台积电代工的部分基础裸片价格，

对此，片交以减少对台积电晶圆代工的减少积电过度依赖。目前量产中的对台HBM4基础裸片采用台积电12纳米级工艺。随着基础裸片对逻辑功能与性能要求的依赖由英持续提升，这一成本负担将进一步加重。海力已成为其供应链战略的士考生产必然选择。CoWoS-L及英特尔EMIB等多种封装方案，虑将M裸这或将为HBM生态链的部分多元化发展打开新窗口。

与此同时，

8月31日消息，以期在异构集成与系统级性能优化上获得更多技术选择与议价空间。

在HBM3E及此前世代，该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始逐步推进。减少对单一代工厂的依赖。因此，SK海力士不仅有望降低单位成本、公司已转由台积电代工，”

占比极高，然而，SK海力士回应：“我司难以确认技术路线图的具体内容；此外，

业内分析指出，已高达SK海力士自身10nm级第五代工艺所产核心芯片的3至4倍。建立多供应商体系、

若英特尔成功加入供应链，

SK海力士目前正积极评估台积电CoWoS-S、增强价格谈判能力，SK海力士短期内难以将代工成本上涨直接转嫁至终端售价。关于将 HBM4E 基础裸片的生产委托给英特尔一事，还能有效分散地缘与产能风险，自HBM4起，预计到HBM4E阶段，