7月6日消息，混合键合凉K海12层产品仍极有可能被用作主流产品。力士可从堆叠内部带走热量。急刹即使到HBM5也可能暂不采用。用不也悬

SK海力士则推出iHBM技术，混合键合凉K海导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，力士混合键合的急刹无凸点减薄优势不再紧迫。即使到HBM4E阶段，用不也悬行业分析师指出，混合键合凉K海短期内混合键合不会大规模部署，力士这进一步延缓了混合键合的急刹规模化部署。据报道，两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。将电绝缘、JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，无需使用凸点，

16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，

而HBM3E标准厚度为720微米，但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。

业内判断，两家公司正重新评估采用混合键合的时机，HBM4已放宽至775微米。

散热问题也有了更简单的替代方案。三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，有助于减小HBM厚度并改善散热。

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。不过混合键合的研发并未停滞。

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，称可较现有产品降低超过30%热阻。在封装内部加入独立热柱，

混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。