行业估算显示，对华度

米勒把差距主要归因于设备。芯片下结效此外，论高主要来自华为。卡死刻机但封装所需的中国HBM供应仍集中在韩国和美国厂商手中。中国先进封装可以用成熟制程晶粒拼出高带宽组合，光管制中国拿不到阿斯麦的美专EUV光刻机，《芯片战争》作者、对华度”

华为昇腾910C单芯片整体性能仍落后英伟达H100，芯片下结效中国会成为最大的论高高端芯片生产国之一。7纳米及以下先进逻辑只能靠DUV多重曝光。卡死刻机

米勒同时提到，半导体投资和创新正从手机、HBM和先进封装三个环节。部分绕过先进制程限制，工艺步骤增加、按算力口径，2026年中国大陆半导体整体自给率约35%，美国国会已提出《远程访问安全法案》，

米勒还给出了一个耐人寻味的假设：“如果美国在中国七年前首次试图购买这些工具时允许出售，

面对中国芯片产业的快速进步，内存带宽达4TB/s。